三星对HBM需求爆发提前卡位，拟将NRD-K2号线转型扩产cHBM与HBM5基础芯片

8 月 14 日，分析师 Jukan 援引韩媒指出，三星电子正考虑将位于器兴的下一代半导体研发园区 NRD-K 2 号线用途从研发改为代工生产线，以扩大 2nm 产能，专门生产用于 HBM 的 2nm 基础芯片，重点面向英伟达等客户的 cHBM 和 HBM5 需求。该线预计 2028 年下半年启用，以 Send Fab 模式运营——从其他量产线接收晶圆，只执行特定工艺环节的辅助代工。NRD-K 是三星投资约 20 万亿韩元建设的最先进复合研发园区，共规划 3 条生产线，其中 1 号线已于 2024 年底完工。这一调整背后是三星对 AI 基础设施带动 HBM 需求爆发的提前卡位。通过在 custom HBM 和 HBM5 上优先采用 2nm 工艺，三星希望在先进封装基础芯片的性能竞争中保持优势。业内观点认为该线规模较小，适合做 Send Fab 角色，但离启用仍有约两年时间，最终用途可能随市场变化调整，设备采购订单尚未正式发出。此前该线曾考虑用于 DRAM 量产，现 DRAM 产能进一步集中至平泽园区。三星此次产线变更进一步印证了 HBM 基础芯片定制化与先进制程化的发展趋势。[原文链接](BlockBeats)