三星电子公布新一代光刻技术路线图，将在1nm节点大规模生产中部署高NA EUV

8 月 11 日，三星电子技术专家 Park Chang-min 在 2026 年 NGL 会议上宣布，三星电子计划在其 1 纳米工艺中引入光刻技术的一项重大创新，该工艺最早可能在 2030 年进入量产。该公司打算在 1nm 节点大规模生产中部署高 NA EUV，这是一种下一代极紫外光刻技术，目前正专注于开发商业化所需的技术。此外，三星电子还在加强高 NA EUV 的开发，这是 EUV 技术的下一代。该公司将 1nm（或 A10）工艺作为其在量产中全面部署的目标。「A」指的是埃（angstrom），1 埃等于 0.1nm。根据这一路线图，三星电子预计将于 2030 年左右开始在量产中使用高 NA EUV。该公司已实现 2nm 工艺的商业化，并计划于 2029 年开始量产其 1.4nm SF1.4 工艺。据报道，它正准备在 2030 年开始量产 SF1.4+（1.4nm 工艺的增强版）以及其 1nm 工艺。(BlockBeats)